LDMOST

作品数:13被引量:6H指数:2
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相关机构:电子科技大学西安交通大学西北核技术研究所中北大学更多>>
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嵌入式非平衡超结LDMOST
《固体电子学研究与进展》2014年第2期170-173,共4页王文廉 王玉 张晋文 
国家自然科学基金资助项目(61106077)
提出一种嵌入式非平衡超结器件结构,在n型外延层上通过高能注入间隔的p型埋层,形成嵌入式的超结结构。n型电荷与p区在四周形成电荷耗尽,相对于常规的超结更利于提高漂移区浓度,改善导通电阻;同时,器件的表面是完整的n型区,缓解了场氧工...
关键词:功率器件 嵌入式非平衡超结 衬底辅助耗尽效应 
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