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A monolithic 3D IGZO-RRAM-SRAM-integrated architecture for robust and efficient compute-in-memory enabling equivalent-ideal device metrics
《Science China(Information Sciences)》2025年第2期318-333,共16页Shengzhe YAN Zhaori CONG Zi WANG Zhuoyu DAI Zeyu GUO Zhihang QIAN Xufan LI Xu ZHENG Chuanke CHEN Nianduan LU Chunmeng DOU Guanhua YANG Xiaoxin XU Di GENG Jinshan YUE Lingfei WANG Ling LI Ming LIU 
supported in part by National Key R&D Program of China(Grant No.2022YFB3606902);National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.62204256,92264204,62274178,62488201);Beijing Nova Program(Grant No.Z211100002121125);China Postdoctoral Science Foundation(Grant Nos.BX20220330,2021M703444);Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(Grant No.XDB44000000)。
Compute-in-memory(CIM)based on various devices such as static random access memory(SRAM)and resistive random access memory(RRAM)and other emerging devices such as indium-gallium-zinc-oxide(IGZO)transistor,magnetoresis...
关键词：compute-in-memory(CIM) monolithic 3D RRAM IGZO 3D-stack simulation 
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