MHEMT

作品数：20被引量：23H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张海英徐静波黎明吉宪黄伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>
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Hetero-epitaxy of L_g= 0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications被引量：1
《Chinese Physics B》2015年第8期529-533,共5页黄杰 黎明 赵倩 顾雯雯 刘纪美 
supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61401373);the Fundamental Research Funds for Central University,China(Grant Nos.XDJK2013B004 and 2362014XK13);the Chongqing Natural Science Foundation,China(Grant No.cstc2014jcyj A40038)
In this work, a hetero-epitaxial Al0.49In0.51As/Ga0.47In0.53 As metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) grown by metal–organic chemical vapor deposition(MOCVD) on p-type silicon substrate has been succes...
关键词：AlInAs/GaInAs silicon metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) multip 
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