MHEMT

作品数：20被引量：23H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张海英徐静波黎明吉宪黄伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>
相关期刊：《Chinese Physics B》《Science Bulletin》《科学通报》《微纳电子技术》更多>>
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200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography被引量：4
《Chinese Science Bulletin》2008年第22期3585-3589,共5页XU JingBo ZHANG HaiYing WANG WenXin LIU Liang LI Ming FU XiaoJun NIU JieBin YE TianChun 
the National Basic Research Program of China (Grant No. G2002CB311901);Equipment Advance Research Project (Grant No. 61501050401C);Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Dean Fund (Grant No. 06SB124004)
GaAs-based metamorphic HEMTs (MHEMT) consist of GaAs substrates and InP-based epitaxial structure, and have the advantages of both InP HEMT's excellent performances and GaAs-based HEMT's mature processes. GaAs-based M...
关键词：电子束 MHEMT 电流 电子频率 
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