MMI型

作品数：12被引量：10H指数：1
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用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器被引量：1
《光通信研究》2000年第5期50-53,62,共5页马慧莲 杨建义 李瑾 王明华 
通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要求 ,...
关键词：GAAS 择优腐蚀 MMI型 光功率分配器 光通信 
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