MOSFET模型

作品数：13被引量：27H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李兴冀崔秀海张文良杨剑群程加力更多>>
相关机构：清华大学西安交通大学东南大学哈尔滨工业大学更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《电子器件》《微电子技术》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金毫米波国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法被引量：2
《半导体技术》2021年第11期866-874,共9页余秋萍 赵志斌 孙鹏 赵斌 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB0905703)。
提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法。将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性。同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参...
关键词：分段拟合 模型优化 SiC MOSFET 仿真模型 静态特性 动态特性 
适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建被引量：2
《半导体技术》2004年第9期57-59,共3页霍明旭 丁扣宝 
OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具。在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同。本文建立了适...
关键词：PSPICE 图形化输入 四端口MOSFET模型 电路模拟 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部