MSM光电探测器

作品数：19被引量：30H指数：3
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硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析被引量：8
《光电子．激光》2008年第5期587-590,共4页蔡志猛 周志文 李成 赖虹凯 陈松岩 
国家自然科学基金资助项目(60676027;50672079);福建省重点科技资助项目(2006H0036);国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404);教育部回国留学人员启动基金资助项目
利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度<1 nm)、位错密度低(<5×105cm-2、厚度约为500 nm的高质量纯Ge层。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入的...
关键词：Ge 弛豫缓冲层 MSM光电探测器 
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