MSM光电探测器

作品数：19被引量：30H指数：3
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基于十八硫醇修饰的Al_(0.6)Ga_(0.4)N MSM光电探测器研究被引量：1
《光子学报》2021年第11期33-38,共6页李宇航 谷燕 陈建薇 姚宇飞 蒋学成 陆乃彦 张秀梅 杨国锋 卞宝安 
国家自然科学基金(No.61974056);江苏省重点研发计划-社会发展项目(No.BE2020756)。
高Al组分的AlGaN材料的光谱响应范围在日盲紫外波段,但其表面较高的缺陷密度限制了其在日盲紫外探测领域的应用。为此,研究了表面修饰对AlGaN基日盲紫外光电探测器件的性能影响。采用化学自组装方法,将十八硫醇有机分子化学吸附在高Al...
关键词：紫外光电探测器 响应度 表面修饰 ALGAN 十八硫醇 
多孔硅负载银纳米颗粒提高硅基MSM光电探测器性能的研究被引量：1
《电子元件与材料》2016年第11期16-20,共5页王继伟 陈海燕 李东栋 杨康 任伟 陈小源 
国家自然科学基金资助项目(No.11174308;No.51201108);中科院知识创新工程重要方向项目(No.KGCX2-EW-315)
利用金属辅助刻蚀的方法在单晶硅片表面制备了多孔硅,结果表明多孔硅表面纳米结构的陷光作用在宽光谱范围内大幅提高了硅片的光吸收率。将银纳米颗粒负载到多孔硅表面,研究了其对硅基金属-半导体-金属型光电探测器(MSM-PDs)性能的影响...
关键词：多孔硅 银纳米颗粒 光吸收率 局域表面等离子体共振 光电探测器 金属辅助刻蚀 
标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的2Gb/s光接收机被引量：2
《科学通报》2011年第11期881-885,共5页肖新东 张世林 毛陆虹 谢生 陈燕 
国家自然科学基金(61036002);天津市自然科学基金重点项目(11JCZDJC15100);国家重大专项(2010ZX03007-002-03);国家高技术研究发展计划(2009AA03Z415)资助项目
在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺下设计了1种单片集成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)光电探测器的光接收机.带有源反馈和负米勒反馈电容的跨阻前置放大器用来提高光...
关键词：光接收机 跨阻放大器 MSM光电探测器 CMOS 
Al_xZn_(1-x)O合金MSM光电探测器的研究被引量：1
《光电子．激光》2011年第2期228-231,共4页韦敏 邓宏 邓雪然 陈金菊 
国家自然科学基金资助项目(50802012);电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助(CXJJ200901);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO（AZO）合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属（MSM）结构光电探测器。采用UV-Vis-Nir分光光度计测量AZO系列薄膜的光吸收特性,观察到AZO合金薄膜的光学吸收带边随Al含量增加明显...
关键词：AlxZn1-xO(AZO) 光电探测器 合金 金属-半导体-金属(MSM) 
硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析被引量：8
《光电子．激光》2008年第5期587-590,共4页蔡志猛 周志文 李成 赖虹凯 陈松岩 
国家自然科学基金资助项目(60676027;50672079);福建省重点科技资助项目(2006H0036);国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404);教育部回国留学人员启动基金资助项目
利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度<1 nm)、位错密度低(<5×105cm-2、厚度约为500 nm的高质量纯Ge层。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入的...
关键词：Ge 弛豫缓冲层 MSM光电探测器 
MSM光电探测器电磁场特性的TLM方法模拟被引量：1
《固体电子学研究与进展》2001年第1期43-49,共7页石世长 王庆康 
介绍了利用传输线矩阵方法模拟和分析金属 -半导体 -金属光电探测器指栅电容的频率响应。应用时域电磁场三维 TL M方法模拟分析了指栅间距和指栅间的耦合长度与光电探测器截止频率的关系。文中还报道了本项研究所开发的三维电磁场时域...
关键词：传输线矩阵方法 金属-半导体-金属光电探测器 电磁场特性 
具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算被引量：2
《固体电子学研究与进展》1998年第2期176-180,共5页覃化 史常忻 王森章 
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
关键词：肖特基势垒 势垒增强层 暗电流特性 MSM-PD 
具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟
《半导体光电》1998年第1期12-15,共4页覃化 史常忻 王森章 
国家自然科学资助
无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析［１］，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化为一维模型，并通过理论分析，...
关键词：光电器件 探测器 肖特基势垒 势垒增强层 
MSM光电探测器被引量：1
《中国科学基金》1997年第2期139-141,共3页史常忻 朱红卫 
1 引言 平面型的金属-半导体-金属(MSM)结构器件最早由美国的S.M.Sze等人于1971年首先提出概念,并研制成硅上的MSM结构器件。测试结果表明其特性不同于单个肖特基结器件。1985年,德国亚琛工业大学半导体电子学研究所的W.Roth等人率先将...
关键词：光电探测器 肖特基势垒 金属-半导体-金属结构器件 暗电流 电压特性 材料生长 
GaAs　MSM光电探测器暗电流特性被引量：2
《半导体光电》1995年第4期336-338,342,共4页王庆康 冯胜 
国家自然科学基金;上海交通大学科技基金
据根金属─半导体─金属（ＭＳＭ）光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数值计算方法分析了不同距离（Ｌ）和不同掺杂浓度（ＮＤ）与暗电流的关系，为设计低暗...
关键词：光电器件 光电二极管 特性测试 暗电流 
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