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作品数：232被引量：563H指数：10
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少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和光学性质理论研究
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2018年第9期1280-1283,共4页李中军 王安健 赵伟 王健越 陈实 李国祥 仇怀利 
国家自然科学基金资助项目(21503061);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JZ2015HGXJ0184;JZ2016HGBZ1046);安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME122);国家大学生创新实验资助项目(201510359035)
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是...
关键词：拓扑绝缘体 少层Bi 2Se 3薄膜 拓扑表面态 量子限域效应 光吸收谱 
拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜电子结构第一性原理研究被引量：2
《宁夏大学学报（自然科学版）》2016年第2期182-185,共4页马静 雷玉玺 周剑平 
国家自然科学基金资助项目(51372148);中央高校基本科研业务费创新团队项目(GK201401003)
采用基于密度泛函理论第一性原理从头计算的MedeA-VASP软件包,在计算电子结构时考虑自旋轨道耦合作用的情况下,系统地计算了拓扑绝缘体Bi_2Te_3体块及其密排面(0 1 1-5)薄膜从1层到6层的电子结构.通过计算发现,Bi_2Te_3体块是带隙为0.14...
关键词：第一性原理 电子结构 拓扑绝缘体 拓扑表面态 
基于量子点-CBP混合层的量子点LED的制备被引量：4
《发光学报》2015年第10期1106-1112,共7页胡炼 吴惠桢 
中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP11403;JUSRP51517)资助项目
采用一锅法制备出高质量的具有核壳结构的Cd Se@Zn S、Cd Zn S/Zn S量子点。将量子点混入空穴传输材料CBP中形成复合的有源材料,经过几步简单的旋涂操作,制备出相应的绿光、蓝光量子点LED器件。这种方法利用了油溶性量子点和CBP材料的...
关键词：量子点 核壳结构 LED 空穴传输材料 电致发光 表面态发光 
电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1
《半导体技术》2015年第4期278-283,共6页谷文萍 全思 张林 徐小波 刘盼芝 杨丽媛 
国家自然科学基金资助项目(41101357);陕西省自然科学基金资助项目(2013JQ7028;2014JQ8344);西安市科技计划项目(CXY1441(9));博士后基金资助项目(2013M540732);中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2012JC095)
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高...
关键词：Al GA N/Ga N HEMT 电子辐照 表面态 辐照加固 辐照损伤 
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