超薄氧化层

作品数:8被引量:1H指数:1
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钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制
《半导体技术》1997年第2期18-19,55,共3页李树荣 郭维廉 李良全 
本文采用Pd/UTSiO2/n-Si隧道二极管结构,研制出在常温下空气中。
关键词: MIS 隧道二极管 氢敏器件 
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