超浅结

作品数：24被引量：13H指数：2
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电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1966-1969,共4页武慧珍 茹国平 张永刚 金成国 水野文二 蒋玉龙 屈新萍 李炳宗 
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻...
关键词：电化学电容-电压 超浅结 杂质浓度 
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