超浅结

作品数：24被引量：13H指数：2
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所上海华力微电子有限公司清华大学更多>>
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纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第4期389-396,共8页何进 张兴 黄如 
富士通和北京大学联合研究项目"低能离子注入模拟及软件开发"的支持
MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。
关键词：MOS器件 超浅结 离子掺杂 纳米技术 金属-氧化物-半导体场效应器件 
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