超深亚微米器件

作品数：4被引量：11H指数：2
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相关作者：陈松涛何宝平黄绍燕姚志斌丁李利更多>>
相关机构：北京大学西安电子科技大学西北核技术研究所中国科学院大学更多>>
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基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取被引量：4
《固体电子学研究与进展》2003年第4期406-411,共6页陈松涛 刘晓彦 杜刚 韩汝琦 
对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降...
关键词：BSIM3 超深亚微米器件 器件模型 参数提取 微电子技术 
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