衬底电流

作品数：13被引量：10H指数：2
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纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模
《电子技术应用》2016年第10期37-39,共3页王林 王军 王丹丹 
衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将...
关键词：衬底电流 纳米级MOSFET 偏置依赖性 
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