磁场位形

作品数：53被引量：64H指数：4
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a-Si∶H薄膜及MWECR-CVD制备技术
《物理》2004年第4期272-277,共6页阴生毅 陈光华 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G0 0 0 0 2 82 0 1)资助项目
文章回顾了a -Si∶H薄膜的发展历程 ,并介绍了其近 10年的研究状况 .为提高a -Si∶H薄膜的沉积速度 ,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR -CVD)技术 .该技术的特点是 :不含电极 ,可避免电极溅射造成的污染 ;等离子...
关键词：微波电子回旋共振等离子体CVD技术 等离子体增强CVD技术 薄膜制备 薄膜生长 磁场位形 磁场结构 氢化非晶硅薄膜 
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