存储元件

作品数：43被引量：13H指数：1
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术更多>>
相关作者：冯卫杨钦耀徐文辉马士宾李先银更多>>
相关机构：旺宏电子股份有限公司索尼松下电器产业株式会社三星电子株式会社更多>>
相关期刊：《电子世界》《现代制造》《电子质量》《电力电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=现代材料动态x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
韩国研究团队借助亚铁磁体阐明斯格明子的前进运动机理
《现代材料动态》2018年第8期14-15,共2页
2009年首次发现的斯格明子（skyrmion）是一种具有旋涡状的结构体，它具有拓扑学稳定性、尺寸小、高效运动等特性，因此，作为超高密度超高速的第二代存储元件的基本单元，备受学界的关注。不过，作为其拓扑学特性之一，斯格明子霍尔效...
关键词：运动机理 亚铁磁体 韩国 基本单元 存储元件 超高密度 霍尔效应 拓扑学 
韩国研究团队借助亚铁磁体阐明斯格明子的前进运动机理
《现代材料动态》2018年第7期19-19,共1页
2009年首次发现的斯格明子是一种具有旋涡状的结构体，它具有拓扑学稳定性、尺寸小、高效运动等特性，因此，作为超高密度超高速的第二代存储元件的基本单元，备受学界的关注。不过，作为其拓扑学特性之一，斯格明子霍尔效应会导致斯格...
关键词：运动机理 亚铁磁体 韩国 基本单元 存储元件 超高密度 霍尔效应 电流方向 
日本理化研究所等发现skyrmions的尺寸和涡旋方向可控
《现代材料动态》2014年第8期7-8,共2页杨晓婵 
目前，用电子以涡旋形式自旋的、称为“skyrmions（斯格明子）”的纳米级磁结构进行记录的高速省电磁存储元件的研究引人注目。日本理化学研究所、东京大学、物质材料研究机构的研究人员发现，通过改变由MnGe和FeGe形成的化合物（用于观...
关键词：化学研究所 涡旋 尺寸 日本 可控 存储元件 硬盘驱动器 东京大学 
全球亮点
《现代材料动态》2010年第11期13-14,共2页黄文梅（摘译） 
·据来自iSuppliCorp的消息，由于高性能存储元件的热卖和使用，NAND闪存对2010年苹果公司的iPhone的需求会供不应求，产生供应紧张的局面。·据SEMI和SEAJ提供的月数据，基于一月份半导体的销售情况，分析家们再次评估后表示前景比原...
关键词：半导体制造设备 IPHONE NAND闪存 存储元件 供不应求 苹果公司 SEMI 销售情况 
美国科学家发现高温绝缘材料中的铁磁性
《现代材料动态》2006年第6期21-22,共2页
现在的微电子学和磁性数据存储元件的发展在技术上受到元件结构尺寸的很大限制。在接近纳米尺度时或者材料设计参数超过最佳值时，要想使元件更小型化将遇到非常严峻的挑战。舆论认为，现在电子学元件小型化的发展速度不可能继续保持下...
关键词：绝缘材料 铁磁性 美国科学家 自旋电子学 存储元件 微电子学 高温 多功能材料 结构尺寸 设计参数 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部