陈隆建

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：国立台北科技大学更多>>
发文主题：奈米砷化镓氮化镓发光二极管氮化镓激光钻孔更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《纳米技术》更多>>
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SiO2奈米绝缘层对GaAs/Ge异质结构特性之影响
《纳米技术》2014年第4期53-59,共7页吴家任 方劲智 陈隆建 
科技部研究计划(MOST103-2221-E-027-029-MY2).
本论文主要探讨SiO2奈米绝缘层对GaAs/Ge异质结构光电特性的影响之研究。本实验主要探讨分为三部分,其一是探讨以射频磁控溅镀技术所成长之砷化镓薄膜磊晶质量及特性分析;其二为透过薄膜分析GaAs/Ge和GaAs/SiO2/Ge两种异质结构,讨论SiO...
关键词：射频磁控溅镀 SiO2奈米绝缘层 砷化镓 锗 
激光钻孔技术对氮化镓LED特性的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第6期596-600,共5页王维昀 陈隆建 彭少鹏 吴煊梁 毛明华 
粤港关键领域重点突破项目(2009205104)
研究利用激光钻孔技术应用于氮化镓发光二极管,是利用高能激光束将蓝宝石基板打出孔洞,并在孔洞内壁蒸镀金属层薄膜,藉以利用金属导热良好的特性,将表面热能传导至基板,并利用封装技术配合,使得热能顺利从底座散去,降低热效应带来的影...
关键词：激光钻孔 氮化镓发光二极管 
利用奈米技术制作砷化镓之微奈米孔洞
《纳米技术》2011年第1期39-44,共6页陈正强 陈隆建 吕思纬 蔡文芳 
国科会研究计划(NSC 99-2221-E-027-061)对本研究的支持和经费的协助。
本研究利用金属辅助式蚀刻技术在无通电下制作出具有微米等级的孔洞于n型砷化镓(GaAs)基板,观察其不同时蚀刻时间条件下砷化镓基板表面型态与反射光谱。实验结果显示随着蚀刻时间的增加孔洞结构越明显,并在蚀刻时间20分钟有较低的反射...
关键词：砷化镓 金属辅助蚀刻 
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