丛伟林

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0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究
《固体电子学研究与进展》2011年第1期44-47,共4页范雪 李平 谢小东 李辉 杨志明 丛伟林 
针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试...
关键词：浮栅flash存储器件 总剂量效应 射线 
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