刘茵

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：电阻抗成像图像重建算法MOSFET二极管耐用性更多>>
发文领域：医药卫生电子电信更多>>
发文期刊：《中国生物医学工程学报》《电气技术》更多>>
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传统MOSFET和超结MOSFET的体二级管反向恢复特性评估
《电气技术》2006年第9期86-89,共4页P.舍诺依 S.舍科哈瓦特 B.勃劳克威 刘茵 
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及。然而,普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较...
关键词：体二极管 反向恢复特性 耐用性 超结M0SFET 
一种有效的电阻抗成像的图像重建算法被引量：2
《中国生物医学工程学报》1991年第3期149-159,共11页宫莲 黄平 刘茵 
电阻抗成像技术正取得进展,并开始用于人体诊断。电阻抗成像的优点是对人体无害及其硬件远比X射线层析成像(X-CT)低廉,是一项需引起重视的科研课题。 本文提供了一种基于低频电流场灵敏度矩阵研究的迭代方法作为图像重建算法,并取得了...
关键词：电阻抗成像 图像重建算法 
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