左青云

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氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
《现代电子技术》2021年第6期1-5,共5页官郭沁 邹荣 左青云 田盼 吕杭炳 田志 王奇伟 曾敏 杨志 
国家重点研发计划(2018YFB0407500)。
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚...
关键词：氧化钽 阻变存储器 电压调制 初始化电压 阻变单元 置位/复位电压 
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