张菲

作品数:2被引量:3H指数:1
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供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题:脉冲激光沉积MGOPZTPLDI-V更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《功能材料》更多>>
所获基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响被引量:2
《功能材料》2011年第6期992-995,共4页张菲 朱俊 罗文博 郝兰众 李言荣 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(61363)
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48)O3(PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS)。XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面...
关键词:脉冲激光沉积 PZT MGO C-V I-V 
MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究被引量:1
《功能材料》2010年第7期1130-1133,共4页丁关凤 朱俊 王水力 张菲 罗文博 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(61363);国家自然科学基金资助项目(50772019)
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲...
关键词:脉冲激光沉积(PLD) BaM薄膜 MgO缓冲层 面外磁性能 
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