苏黎明

作品数:1被引量:2H指数:1
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封装的DC~4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)被引量:2
《半导体技术》2013年第6期419-423,共5页苏黎明 杨洪文 刘宇辙 孙征宇 阎跃鹏 
National Natural Science Foundation of China(61271423)
描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电...
关键词:单刀双掷(SPDT) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) MSOP8封装 高隔离度 吸收式 
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