徐洪起

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三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
《物理学报》2018年第4期198-204,共7页敬玉梅 黄少云 吴金雄 彭海琳 徐洪起 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2016YFA0300601,2016YFA0300802,2017YFA0303304,2017YFA0204901)和国家自然科学基金(批准号:91221202,91421303,11274021)资助的课题.
利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev...
关键词:拓扑绝缘体 antidot阵列 弱反局域化 
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