吴金雄

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：氧化铋拓扑绝缘体半导体薄膜化学气相沉积迁移率更多>>
发文领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理化学学报》《化学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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Bi2O2Se纳米带的气-液-固生长与高性能晶体管的构筑被引量：2
《物理化学学报》2020年第1期256-262,共7页谭聪伟 于梦诗 许适溥 吴金雄 陈树林 赵艳 刘聪 张亦弛 涂腾 李天然 高鹏 彭海琳 
国家自然科学基金(21733001,21525310)资助项目.
作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成器件沟道材料的候选半导体。高质量的Bi2O2Se纳米带有望用于高性能晶体管的构筑;然而,其一维结构的合成...
关键词：Bi2O2Se 气-液-固生长 纳米带 化学气相沉积 高迁移率 
三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
《物理学报》2018年第4期198-204,共7页敬玉梅 黄少云 吴金雄 彭海琳 徐洪起 
国家重点基础研究发展计划(批准号：2016YFA0300601,2016YFA0300802,2017YFA0303304,2017YFA0204901)和国家自然科学基金(批准号：91221202,91421303,11274021)资助的课题.
利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev...
关键词：拓扑绝缘体 antidot阵列 弱反局域化 
二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究被引量：1
《化学学报》2015年第9期944-948,共5页吴金雄 刘忠范 彭海琳 
国家重大科学研究计划(Nos.2014CB932500,2011CB921904,2013CB932603);国家自然科学基金(Nos.21173004,21222303,51121091);中组部“万人计划”青年拔尖人才计划资助~~
首次研究了拓扑绝缘体Bi2Se3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi2Se3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi2Se3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理.
关键词：拓扑绝缘体 二维晶体 荧光猝灭 Bi2Se3 
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