郑睿

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A Complete Surface Potential-Based Core Model for Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2092-2097,共6页何进 张立宁 张健 傅越 郑睿 张兴 
the National Natural Science Foundation of China(No.90607017);the Competitive Ear marked Grant 611207 from the Research Grant Council of Hong Kong SAR;the International Joint Research Program(NEDO Grant)from Japan(No.NEDOO5/06.EG01)~~
A surface potential-based model for undoped symmetric double-gate MOSFETs is derived by solving Poisson＇s equation to obtain the relationship between the surface potential and voltage in the channel region in a self-...
关键词：bulk MOSFET limit non-classical CMOS double-gate MOSFET device physics surface potential-based model 
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