陆静苹

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供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文主题：缓冲层溅射功率铜铟镓硒薄膜太阳能电池CIGS薄膜XS更多>>
发文领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》更多>>
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溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层In_xS_y的影响
《真空科学与技术学报》2013年第9期939-942,共4页陆静苹 王德苗 金浩 周剑 李远东 
国家自然科学基金重点项目(60936002)
采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备In x S y缓冲层,溅射功率范围从30 W到100 W。通过能量色散X射线光谱仪、扫描电子显微镜和紫外分光光度计分别检测在不同溅射功率条件下制备的In x S y薄膜表面形貌、元素组成和光学特性。结果表明随...
关键词：射频磁控溅射 InxSy薄膜 光学禁带宽度 太阳能电池 
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