马建立

作品数：7被引量：15H指数：3
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：应变SIP单轴锗硅更多>>
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发文期刊：《物理学报》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
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单轴应变Si导带色散关系解析模型
《物理学报》2012年第9期401-408,共8页王冠宇 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 马建立 王晓艳 
国家部委项目(批准号:51308040203;6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499;72104089);陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐...
关键词：单轴应力 应变Si k.p理论 色散关系 
单轴应力锗能带结构研究被引量：1
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第1期15-21,共7页马建立 张鹤鸣 宋建军 魏群 王晓艳 王冠宇 徐小波 
国家部委资助项目(编号:61398,51308040106,9140C090303110C0904);陕西省自然科学基础研究计划(编号:2010JQ8008)资助项目
用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变...
关键词：单轴应力锗 能带结构 k·p微扰法 
[110]／(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型被引量：5
《物理学报》2011年第7期567-572,共6页王冠宇 马建立 张鹤鸣 王晓艳 王斌 
国家部委资助项目(批准号:51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单...
关键词：/(001)单轴应变si 有效态密度 本征载流子浓度 
应变Si／(001)Si1-x Gex电子迁移率被引量：4
《物理学报》2011年第7期618-624,共7页王晓艳 张鹤鸣 宋建军 马建立 王冠宇 安久华 
国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题~~
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷...
关键词：电子谷间占有率 散射模型 锗组分 电子迁移率 
单轴〈111〉应力硅价带结构计算
《物理学报》2011年第8期544-551,共8页马建立 张鹤鸣 宋建军 王晓艳 王冠宇 徐小波 
中央高等学校基本科研基金(批准号:200972105499)资助的课题~~
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况.计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、...
关键词：单轴应力硅 k·p法 价带结构 
(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构被引量：6
《物理学报》2011年第2期552-557,共6页马建立 张鹤鸣 宋建军 王冠宇 王晓艳 
国家部委项目(批准号:51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费项目(批准号:72105499);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶...
关键词：单轴应变硅 K·P法 能带结构 
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