马旭

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氧等离子体活化β-Ga_(2)O_(3)/SiO_(2)低温键合工艺
《硅酸盐学报》2024年第10期3273-3282,共10页马旭 穆文祥 侯童 董岳 余博文 李阳 贾志泰 
国家自然科学基金(52002219,51932004);广东省重点研发计划(2020B010174002);深圳市基础研究计划(JCYJ20210324132014038)。
采用O2等离子体活化键合技术,实现了β-Ga_(2)O_(3)与SiO_(2)的低温直接键合。通过对O2等离子体处理时间进行调控,系统研究了接触角、羟基密度随处理时间的变化。随着O2等离子体活化时间的增加,SiO_(2)和β-Ga_(2)O_(3)晶片表面亲水性...
关键词：β-氧化镓 二氧化硅 氧气等离子体活化 低温直接键合 异质集成 
斜切角对β-Ga_(2)O_(3)(100)面衬底加工的影响研究
《人工晶体学报》2023年第9期1570-1575,共6页李信儒 侯童 马旭 王佩 李阳 穆文祥 贾志泰 陶绪堂 
国家自然科学基金(52002219,51932004,61975098);广东省重点领域研发计划(2020B010174002);深圳市基础研究计划(JCYJ20210324132014038);111工程2.0(BP2018013)。
本文研究了斜切角的引入对β-Ga_(2)O_(3)(100)面衬底加工的影响,分析了斜切角分别为0°、1°、6°时,(100)面衬底在加工过程中的形貌变化及不同抛光参数对衬底抛光的影响。实验结果表明,随着斜切角的增大,(100)面衬底在加工过程中的解...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 解理 斜切角 抛光 表面粗糙度 
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