高昂

作品数：1被引量：1H指数：1
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不同金属缓冲层对GaN薄膜的光学及电学性能的影响被引量：1
《无机化学学报》2014年第3期597-602,共6页翟化松 余春燕 高昂 姜武 王坤鹏 许并社 
国家自然科学基金(No.51002102);山西省科技创新重点团队项目(No.2012041011)资助项目
本文以金属Ga和NH3为原料,Al、Ni和Fe为金属缓冲层,采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上合成了GaN微米薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能量弥散X射线谱(EDS)、光致发光光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-30...
关键词：GaN微米薄膜 金属缓冲层 化学气相沉积 
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