冯振兴

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文主题：AU镍金NI比接触电阻更多>>
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氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1154-1158,共5页胡成余 秦志新 冯振兴 陈志忠 杨华 杨志坚 于彤军 胡晓东 姚淑德 张国义 
国家高技术研究发展计划(批准号:8632001AA313110;2001AA313060和2001AA313140);北京市科技项目(批准号:H030430020230);国家自然科学基金(批准号:60276010;60276034;60406007;60476028)资助项目~~
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN...
关键词：p型氮化镓 镍/金 比接触电阻 同步辐射 卢瑟福背散射 
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