戎懿

作品数:1被引量:5H指数:1
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供职机构:北京大学信息科学技术学院更多>>
发文主题:场发射特性场发射ZNO纳米线ZNO纳米线更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性被引量:5
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1225-1229,共5页张琦锋 戎懿 陈贤祥 张耿民 张兆祥 薛增泉 陈长琦 吴锦雷 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:50202002;60471007;60231010;90206048);北京市自然科学基金(批准号:4032012;4042017)资助项目~~
运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7...
关键词:ZNO 纳米线 气相沉积 场发射 
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