文芳

作品数:1被引量:1H指数:1
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供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题:半导体可饱和吸收镜半导体材料新型材料晶格匹配更多>>
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新型材料InGaNAs的生长与应用前景被引量:1
《红外》2003年第10期17-20,共4页王勇刚 马骁宇 韦欣 文芳 
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。
关键词:InGaNAs 半导体材料 生长特点 晶格匹配 应用前景 砷氮镓铟化合物 长波长量子阱激光器 长波长垂直腔面发射激光器 半导体可饱和吸收镜 长波长谐振腔增强探测器 
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