杨扬

作品数:1被引量:1H指数:1
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供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题:SNO2SI异质结盖层发光强度电致发光更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《物理学报》更多>>
所获基金:浙江省重点科技创新团队项目浙江省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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SnO_2/p^+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度被引量:1
《物理学报》2014年第17期259-263,共5页蒋昊天 杨扬 汪粲星 朱辰 马向阳 杨德仁 
国家自然科学基金(批准号:51372219和61176042);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2013CB632102);浙江省自然科学基金(批准号:R4090055);浙江省创新团队项目(批准号:2009R50005)资助的课题~~
通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层...
关键词:SNO2 p+-Si异质结 TiO2盖层 电致发光 
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