王兴磊

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供职机构:南开大学信息技术科学学院天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室更多>>
发文主题:并联电阻薄膜太阳电池太阳电池弱光SE更多>>
发文领域:电气工程更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家高技术研究发展计划更多>>
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Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2薄膜太阳电池的J-V特性
《Journal of Semiconductors》2007年第12期1941-1944,共4页何炜瑜 孙云 乔在祥 敖建平 王兴磊 李长健 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA513020)~~
对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数.采用数值逼近法,将得到的参数回归J-V方程,与测试结果符合较好.对...
关键词:Cu(In1-xGax)Se2 太阳电池 并联电阻 晶界势垒 弱光 
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