赵伟

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深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀
《微电子学》1994年第4期36-40,共5页赵伟 李勇 
本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根...
关键词：深槽隔离 反应离子刻蚀 硅 
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