高迎宾

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：离子轰击场发射数值模拟场致发射场发射阵列更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《计算物理》《电子器件》更多>>
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硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析
《计算物理》2005年第1期38-42,共5页高迎宾 张晓兵 雷威 王保平 
东南大学科技基金(编号9206001270;9206001271);国家973项目(编号2003CB314706);教育部博士点基金(编号20030286003)资助项目
　离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命.阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行...
关键词：场发射 场致发射 阵列 单元结构 器件 工作寿命 离子轰击 电子碰撞 电离 正离子 
基于场发射三极管结构的离子轰击分析被引量：1
《电子器件》2003年第4期365-370,共6页高迎宾 张晓兵 雷威 王保平 
国家大功率微波重点实验室基金资助项目
离子轰击影响场致发射器件的稳定性和工作寿命。本文以碳纳米管场发射三极管结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰阴极的全过程,对模型中的平面阴极受损的位置和程度进行了的分析;为了减小离子轰击的影响,在三极管中引入了...
关键词：场发射 离子轰击 离子陷阱 数值模拟 
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