焦洋

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：河南大学更多>>
发文主题：薄膜晶体管厚度沟道晶体管器件电学特性更多>>
发文领域：电子电信理学文化科学经济管理更多>>
发文期刊：《发光学报》更多>>
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沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)被引量：1
《发光学报》2013年第3期324-328,共5页焦洋 张新安 翟俊霞 喻先坤 丁玲红 张伟风 
中国博士后科学基金(20110490995)资助项目
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型...
关键词：In2O3薄膜 薄膜晶体管 沟道层厚度 电学特性 
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