白国斌

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：单片集成不均匀性MOS器件刻蚀工艺传感器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
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应用于堆叠纳米线MOS器件的STI工艺优化研究
《真空科学与技术学报》2019年第1期65-70,共6页徐忍忍 张青竹 姚佳欣 白国斌 熊文娟 顾杰 殷华湘 吴次南 屠海令 
在传统Fin FET集成工艺上,通过Ge Si/Si叠层量子阱结构外延生长再形成堆叠纳米线MOS场效应晶体管的方案,是实现5 nm及其以下CMOS集成电路工艺技术最具可能的器件方案。由于Ge元素在该技术中的引入,导致器件工艺中的浅沟槽隔离(STI)工艺...
关键词：SIO2 HF溶液 腐蚀 高深宽比工艺 浅沟槽隔离 
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