窦威

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一步掩膜法制备超低压ITO沟道纸上薄膜晶体管
《物理学报》2012年第4期402-406,共5页毛延凯 蒋杰 周斌 窦威 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310500);国家自然科学基金(批准号:10874042)资助的课题~~
基于一步掩模法工艺制备了一种新型的纸上双电荷层超低压薄膜晶体管.在室温射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源漏电极和ITO沟道.在此基础上,以等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)合成的具有双电荷...
关键词：超低工作电压 一步掩模法 双电荷层 微孔SiO_2 
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