袁成

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Design of CMOS class-E power amplifier for low power applications
《Journal of Southeast University(English Edition)》2009年第2期180-184,共5页袁成 李智群 刘继华 王志功 
The National High Technology Research and Development Program of China(863 Program)(No.2007AA01Z2A7)
A fully integrated class-E power amplifier(PA) at 2.4 GHz implemented in a 0. 18 μm 6-metal-layer mixed/RF CMOS ( complementary metal-oxide-semiconductor transistor ) technology is presented. A two-stage amplific...
关键词:class-E power amplifier complementary metal-oxidesemiconductor transistor(CMOS) technology low power application 
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