云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 魏国华

魏国华: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：南开大学物理学院更多>>; 发文主题：GAPL谱单量子阱温度特性GAAS更多>>; 发文领域：理学更多>>; 发文期刊：《发光学报》更多>>; 所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金天津市科技支撑计划重点项目更多>>

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In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制被引量：4: 《发光学报》2010年第5期619-623,共5页魏国华王斌李俊梅曹学伟张存洲徐晓轩; 天津市科技支撑计划重点项目基金(07ZCKCGX03600);南开大学新教师科研启动基金(J02034);南开大学物理学基地教学基金(J0730315);南开大学本科生创新科研百项工程基金BX6-168);中央高校基本科研业务费专项基金(65010981/65010821)资助项目; 测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升...; 关键词：In0.2Ga0.8As/GaAs 单量子阱 PL谱温度荧光峰半峰全宽