周卓帆

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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：GANBATIO3ALN氮化镓氮化物更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物联网技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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双轴应变对纤锌矿GaN、AlN、InN及其合金电子有效质量的影响(英文)
《固体电子学研究与进展》2012年第4期318-324,340,共8页周卓帆 张继华 刘伟 杨传仁 陈宏伟 赵强 
国家自然基金资助项目(50932002;51172035)
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量。对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质...
关键词：Ⅲ族氮化物 电子有效质量 双轴应变 能带结构 第一性原理 
双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响
《物联网技术》2012年第5期29-33,共5页刘伟 张继华 周卓帆 刘颖 杨传仁 陈宏伟 赵强 
通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变。在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着...
关键词：铝镓氮/氮化镓异质结 有效质量 双轴应变 迁移率 二维电子气 
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