张文军

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发文主题：磁场布里奇曼法半导体材料化学腐蚀碲镉汞晶体更多>>
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磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析
《红外与激光工程》1997年第5期33-37,共5页蓝慕杰 张文军 叶水驰 鲍海飞 
用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。
关键词：碲镉汞 磁场 缺陷 半导体材料 化学腐蚀 
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