徐野川

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：半导体相变表面再构硅半导体硅更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《物理》更多>>
所获基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
半导体硅重构表面及其相变动力学的研究进展
《物理》2008年第9期628-630,共3页徐野川 刘邦贵 
国家自然科学基金(批准号:10774180;60621091);国家重点基础研究发展计划(批准号:2005CB623602);中国科学院知识创新工程(批准号:KJCX2.YW.W09-5)资助项目
简单介绍了文章作者在半导体硅重构表面及其相变动力学研究方面的进展.近期Si(111)(7×7)-(1×1)相变的实验研究发现,将温度升高到相变温度以上时,7×7岛面积以恒定的衰减速率随时间减小至零,且初始面积越大的岛这个衰减速率就越大.文...
关键词：半导体 表面重构 相变 硅 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部