陈栋

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供职机构:电子科技大学更多>>
发文主题:单轴主减速器总成主减速器汽车后桥同轴度更多>>
发文领域:自动化与计算机技术机械工程交通运输工程电子电信更多>>
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基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究
《半导体技术》2010年第12期1145-1148,1173,共5页肖含立 丁杰雄 华晨辉 陈栋 王宇翔 
国家自然科学基金资助项目(50675031)
基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法。提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以...
关键词:干法刻蚀 SOI片 MEMS超声分离器 侧壁垂直度 IC工艺 
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