魏莹辉

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文主题：衬底驱动超低压CMOS混频器混频器准浮栅更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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超低压CMOS混频器比较设计及特性分析被引量：1
《电子器件》2005年第1期114-117,121,共5页魏莹辉 朱樟明 杨银堂 
讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的...
关键词：超低压 准浮栅 衬底驱动 混频器 转换增益 频域特性 
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