刘楷

作品数：3被引量：7H指数：1
导出分析报告
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：FLASH存储器倍压电路倍压电荷泵电路电荷泵更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《微电子学》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Novel p-Channel Selected n-Channel Divided Bit-Line NOR Flash Memory Using Source Induced Band-to-Band Hot Electron Injection Programming
《Journal of Semiconductors》2002年第10期1031-1036,共6页潘立阳 朱钧 刘楷 刘志宏 曾莹 
国家九五计划资助项目 (No.97 76 0 0 1 0 1)~~
A novel p-channel selected n-channel divided bit-line NOR(PNOR) flash memory,which features low programming current,low power,high access current,and slight bit-line disturbance,is proposed.By using the source induced...
关键词：flash memory DINOR band-to-band SIBE disturbance 
一个精确时钟驱动的Dickson倍压电荷泵电路被引量：7
《微电子学》2002年第4期302-304,307,共4页刘楷 潘立阳 朱钧 
提出了一种基于 Dickson电荷泵电路 ,由自带参考电压的时钟电路驱动 ,并与耦合倍压电路相结合的片上升压电路。该电路由于保证了输出编程电压的精确度 ,从而控制了存储单元阈值电压的偏移 ,降低了对外围电路的要求 。
关键词：电荷泵 FLASH存储器 Dickson电路 倍压电路 
新型嵌入式BeNOR结构Flash存贮器
《Journal of Semiconductors》2002年第8期855-860,共6页潘立阳 刘楷 朱钧 仲涛 鲁勇 傅玉霞 
国家"九五"计划资助项目 (合同号 :97-76 0 -0 1-0 1)~~
提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的 Be NOR阵列结构 ,该结构采用沟道热电子注入进行“写”操作 ,采用分离电压法负栅压源极 F- N隧道效应进行擦除 .对分离电压法负栅压源极 F- N...
关键词：Flash存贮器 BeNOR 字节擦除 分离电压法 源极串扰 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部