张洪华

作品数：3被引量：8H指数：1
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供职机构：江西科技师范学院更多>>
发文主题：离子辐照碳化硅6H-SIC氦离子光致发光谱更多>>
发文领域：理学核科学技术一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《原子核物理评论》《物理学报》《稀有金属材料与工程》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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双相Fe-15Cu-5Al-0.3Y铸态合金及其溅射涂层的高温氧化行为(英文)
《稀有金属材料与工程》2012年第S2期409-412,共4页向军淮 王为 张洪华 
Key Program of Science and Technology of Ministry of Education(209069);Scientific Research Found of Jiangxi Provincial Education Department(GJJ11221)
研究了Fe-15Cu-5Al-0.3Y铸态合金及其溅射涂层在800℃,0.1MPa氧气中的氧化行为。铸态合金表面形成的氧化膜分为3层:最外层是一层很薄的CuO层;第二层主要由铁的氧化物组成,而且其中含有一些铜的氧化物和少量的铝的氧化物;而与合金接触的...
关键词：纳米晶 涂层 高温 氧化 
94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究
《原子核物理评论》2010年第1期92-96,共5页杨成绍 王志光 孙建荣 姚存峰 臧航 魏孔芳 缑洁 马艺准 申铁龙 盛彦斌 朱亚斌 庞立龙 李炳生 张洪华 付云翀 
中国科学院知识创新方向性项目(KJCX2-YW-M11);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB832902)~~
室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离...
关键词：硅 薄膜 重离子辐照 光学带隙 
碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究被引量：8
《物理学报》2009年第5期3302-3308,共7页张洪华 张崇宏 李炳生 周丽宏 杨义涛 付云翀 
国家自然科学基金(批准号:10575124)资助的课题~~
对氦(He)离子高温(600K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量...
关键词：6H-SIC 离子注入 拉曼光谱 光致发光谱 
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