王宇

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题:INGAN/GAN多量子阱极化效应太阳电池更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《半导体光电》更多>>
所获基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究被引量:2
《半导体光电》2014年第2期206-210,共5页王宇 张江勇 余健 应磊莹 张保平 
国家自然科学基金项目(61274052,61106044);中央高校基本科研业务费专项资金项目(2013121024);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20110121110029)
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱外延结构,高分辨率X射线衍射测量结果显示,量子阱结构界面清晰,周期重复性很好,InGaN阱层的In组分约为0.2。利用该外延结构制备的InGaN/GaN多量子阱太阳电池的开...
关键词:INGAN/GAN多量子阱 极化效应 拐点 太阳电池 
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