刘永刚

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供职机构:中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院更多>>
发文主题:磁性研究ZN高温退火稀磁半导体薄膜退火温度更多>>
发文领域:一般工业技术更多>>
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不同退火温度下Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜的磁性研究
《材料导报(纳米与新材料专辑)》2011年第1期91-92,112,共3页刘永刚 杨东洋 
通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩...
关键词:Zno.96Coo.040稀磁半导体薄膜高温退火磁性 
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